[发明专利]一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法，该方法在已制备完底电极的衬底上，形成有源层，再在有源层上旋涂一层介电材料作为中间缓冲层，通过掩膜版在中间缓冲层上形成图形化金属保护层，采用干氧刻蚀去掉未被金属保护层覆盖的有源层及中间缓冲层，最后将多余的中间缓冲层及金属保护层进行剥离，从而获得已图形化的有源层。本发明无需使用昂贵的光刻机及光刻材料，避免了化学药品对半导体有源层的腐蚀和溶解。具有制作效率高、成本低且图形化效果好的优点。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1、选用绝缘材料制作衬底；步骤2、在衬底上形成底电极；步骤3、在底电极上形成有源层；步骤4、在有源层上旋涂一层介电材料形成中间缓冲层；步骤5、使用掩膜版，在中间缓冲层上形成图形化的金属保护层；步骤6、剥离掩膜版，进行干氧刻蚀；步骤7、将未被金属保护层覆盖的有源层及中间缓冲层完全刻蚀；步骤8、剥离多余的金属保护层及中间缓冲层，形成图形化的有源层。