[发明专利]5G毫米波无源正交多波束平面阵列天线有效

专利信息
申请号: 201910014137.5 申请日: 2019-01-08
公开(公告)号: CN109755734B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 郝张成;陶明翠 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q3/30;H01Q21/00;H01Q21/06;H01Q21/29
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种5G毫米波无源正交多波束平面阵列天线,包括设于上层馈电加辐射介质基片上的正交激励共口径缝隙天线阵列和一组基片集成波导转基片集成同轴线的过渡结构,以及分布在下层馈电介质基片、中间层馈电介质基片和上层馈电加辐射介质基片上的两组折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络。本发明通过基片集成波导和基片集成同轴线两种基片集成技术对缝隙天线阵列正交激励,实现共口径辐射,且结构紧凑。本发明能够在空间正交的两个平面内形成不同指向的波束,两个平面内的波束扫描分别由两组波束馈电网络独立控制,并且馈电端口满足较好的驻波特性和较好的隔离度,且能够通过多层PCB工艺实现,平面结构,易于集成。
搜索关键词: 毫米波 无源 正交 波束 平面 阵列 天线
【主权项】:
1.一种5G毫米波无源正交多波束平面阵列天线,其特征在于:包括设于上层馈电加辐射介质基片(3)上的正交激励共口径缝隙天线阵列(9)和一组基片集成波导转基片集成同轴线的过渡结构(7),以及分布在下层馈电介质基片(1)、中间层馈电介质基片(2)和上层馈电加辐射介质基片(3)上的两组折叠式卡塞格伦反射面波束馈电网络(5)。
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