[发明专利]大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法有效

专利信息
申请号: 201910014194.3 申请日: 2019-01-08
公开(公告)号: CN109817812B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 林乾乾;彭家丽 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 俞琳娟
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法,制法包括:步骤1.将钙钛矿充分溶解得到饱和溶液,过滤后持续加热制得钙钛矿单晶;步骤2.将钙钛矿单晶干燥后进行机械碾磨和筛分得到钙钛矿单晶颗粒,真空干燥后得到直径为500nm~10μm的单晶颗粒;步骤3.将单晶颗粒分散于聚合物溶液中,制成分散液;步骤4.将分散液旋涂在沉积有空穴传输层的透明导电基底上,制得大颗粒钙钛矿单晶颗粒与聚合物的复合厚膜,再将该复合厚膜在热台上退火,旋涂转速为100~4000rpm。本发明提供的复合厚膜具有优异的电荷传输性能、快响应速度、高稳定性、低暗电流和噪声、制备简便等优点。
搜索关键词: 颗粒 钙钛矿单晶 聚合物 复合 光电 探测器 制法
【主权项】:
1.一种大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1.制备钙钛矿单晶将钙钛矿在40~70℃下充分溶解得到饱和溶液,过滤后在100~130℃下持续加热4~8h制得钙钛矿单晶;步骤2.制备单晶颗粒将所述钙钛矿单晶干燥后进行机械碾磨和筛分得到钙钛矿单晶颗粒,采用真空干燥箱60~100℃干燥12~24h,制得直径为500nm~10μm的单晶颗粒;步骤3.混合分散将所述单晶颗粒分散于聚合物溶液中,所述单晶颗粒掺混量为100~2000mg/mL,所述聚合物溶液浓度为10~200mg/mL,制成分散液;步骤4.旋涂将所述分散液旋涂在沉积有空穴传输层的透明导电基底上,制得大颗粒钙钛矿单晶颗粒与聚合物的复合厚膜,该复合厚膜的厚度大于500nm,再将该复合厚膜在热台上80~100℃退火30~60min。
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