[发明专利]IGBT结构有效
| 申请号： | 201910014517.9 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109830530B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋章;刘须电;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT结构，包括集电极上形成有缓冲层，缓冲层上形成有漂移区，漂移区上形成有体区，并列间隔排布的第一沟槽和第二沟槽设置在漂移区和体区中，第一沟槽左侧和第二沟槽右侧的体区中形成有发射极，层间介质设置在第一沟槽和第二沟槽上的金属电极中，第一沟槽和第二沟槽内壁形成有栅氧化层，第一沟槽左侧内壁的栅氧化层上形成有多晶硅栅,第一沟槽内其余部分形成有栅极集电极电容介质，第二沟槽右侧内壁的栅氧化层上形成有多晶硅栅,第二沟槽内其余部分形成有栅极集电极电容介质。与现有技术相比本发明能降IGBT结构的低米勒电容。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 结构 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT结构，包括集电极(9)上形成有缓冲层(8)，缓冲层(8)上形成有漂移区(7)，漂移区(7)上形成有体区(6)，并列间隔排布的第一沟槽和第二沟槽设置在漂移区(7)和体区(6)中，第一沟槽左侧和第二沟槽右侧的体区(6)中形成有发射极(5)，层间介质(3)设置在第一沟槽和第二沟槽上的金属电极(4)中，其特征在于：第一沟槽和第二沟槽内壁形成有栅氧化层(2)，第一沟槽左侧内壁的栅氧化层(2)上形成有多晶硅栅(1),第一沟槽内其余部分形成有栅极集电极电容介质(10)，第二沟槽右侧内壁的栅氧化层(2)上形成有多晶硅栅(1),第二沟槽内其余部分形成有栅极集电极电容介质(10)。
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