[发明专利]SiON波导与光纤耦合结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910014594.4 申请日: 2019-01-14
公开(公告)号: CN109445032A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 袁晓君;耿凯鸽 申请(专利权)人: 科新网通科技有限公司
主分类号: G02B6/26 分类号: G02B6/26;G02B6/138;G02B6/136;G02B6/132
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 葛钟
地址: 471000 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供了一种SiON波导与光纤耦合结构,包括SiON波导,为输入波导;二氧化硅波导,包覆于SiON波导的外侧;锥形SiON波导,被包覆于二氧化硅波导内侧,且处于SiON波导水平面的下方,且横截面尺寸小于SiON波导的横截面尺寸,横截面尺寸沿着光传输的方向渐扩;SiON输出波导,与锥形SiON波导连接。以及制作SiON波导与光纤耦合结构的方法。本发明在SiON波导上包覆一层SiO2,使这个结构与空气隔开并起到保护作用,SiON波导与锥形SiON波导的折射率不同,SiON波导能够与光纤匹配,锥形SiON波导又能够做到小尺寸,通过该种耦合结构,可以把器件做小,且减小了能耗。
搜索关键词: 波导 光纤耦合结构 包覆 二氧化硅波导 波导连接 输出波导 输入波导 耦合结构 光传输 折射率 隔开 减小 渐扩 制作 能耗 匹配 光纤
【主权项】:
1.一种SiON波导与光纤耦合结构,其特征在于,包括:SiON波导,为输入波导;二氧化硅波导,包覆于所述SiON波导的外侧;锥形SiON波导,被包覆于所述二氧化硅波导内侧,且处于所述SiON波导水平面的下方,且横截面尺寸小于所述SiON波导的横截面尺寸,横截面尺寸沿着光传输的方向渐扩;SiON输出波导,与所述锥形SiON波导连接。
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