[发明专利]一种锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910014717.4 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109860046A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;黄景丰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法，包含如下的工艺步骤：第1步，在完成锗硅外延淀积之后，再淀积一层氧化硅；2步，进行牺牲发射极窗口的氮化硅淀积；第3步，牺牲发射极窗口的氮化硅刻蚀；第4步，进行选择性锗硅外基区的生长；第5步，完成锗硅外基区的刻蚀之后，去除牺牲发射极窗口内的氮化硅。本发明所述的锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法，通过将牺牲发射极窗口多晶硅替换为氮化硅，大大简化了工艺流程，同时在后续去除该牺牲层时也不会造成残留问题，并形成更好的器件形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 发射极窗口 刻蚀 锗硅 氮化硅 外基区 淀积 去除 形貌 氮化硅淀积 工艺步骤 锗硅外延 工艺流程 多晶硅 牺牲层 氧化硅 替换 残留 生长 | ||
【主权项】：
1.一种锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第1步，在完成锗硅外延淀积之后，再淀积一层氧化硅；第2步，进行牺牲发射极窗口的氮化硅淀积；第3步，牺牲发射极窗口的氮化硅刻蚀；第4步，进行选择性锗硅外基区的生长；第5步，完成锗硅外基区的刻蚀之后，去除牺牲发射极窗口内的氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
