[发明专利]MIM电容的制造方法在审
| 申请号： | 201910014730.X | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109817608A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 施洋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MIM电容的制造方法，包括步骤：步骤一、依次形成第一金属层、中间介质层和第二金属层。步骤二、进行光刻形成光刻胶图形并定义出MIM电容的形成区域。步骤三、进行等离子体刻蚀形成由第一金属层、中间介质层和第二金属层叠加而成的MIM电容。步骤四、在去胶机台进行去胶工艺，在去胶工艺中包括后处理的步骤，后处理去除等离子体刻蚀在MIM电容表面产生的电荷残留和等离子体损伤。本发明能提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 第一金属层 中间介质层 后处理 去胶工艺 等离子体损伤 机台 第二金属层 光刻胶图形 电荷残留 击穿电压 光刻 去除 去胶 制造 金属 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一金属层、中间介质层和第二金属层；步骤二、在所述第二金属层表面上涂布光刻胶并进行光刻形成光刻胶图形，所述光刻胶图形的覆盖区域为MIM电容的形成区域；步骤三、以所述光刻胶图形为掩膜依次对所述第二金属层、所述中间介质层和所述第一金属层进行等离子体刻蚀形成由所述第一金属层、所述中间介质层和所述第二金属层叠加而成的所述MIM电容；步骤四、在去胶机台中采用去胶工艺去除所述光刻胶图形，在所述去胶工艺中包括对所述MIM电容的表面进行后处理的步骤，所述后处理去除所述等离子体刻蚀在所述MIM电容表面产生的电荷残留和等离子体损伤并进而提高所述MIM电容的击穿电压。
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