[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS器件，包括：由第一N型深阱组成的漂移区，形成于和第一N型深阱具有间距的第二N型深阱中的P阱，形成于漂移区表面的第一PTOP层和形成于P阱表面的第二PTOP层；源极的金属的延伸到漂移区的顶部并形成的源端金属场板和栅极在漂移区顶部的走线形成的栅端金属场板都向源侧移动用以拉大和漏极延伸形成的漏端金属场板的间距从而提高器件的击穿电压。本发明还公开了一种NLDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压，能使器件的导通电阻保持不变和降低。

主权项

1.一种NLDMOS器件，其特征在于，包括：形成于P型半导体衬底中的第一N型深阱和第二N型深阱，所述第一N型深阱和所述第二N型深阱工艺条件相同且相隔一定距离，漂移区由所述第一N型深阱组成；形成于所述第二N型深阱中的P阱；形成于所述半导体衬底上方的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述半导体衬底表面隔离有栅介质层，在横向上所述多晶硅栅从所述P阱延伸到所述漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述P阱用于形成沟道；所述多晶硅栅的第一侧面位于所述P阱上方、所述多晶硅栅的第二侧面位于所述漂移区上方；由N+区组成的源区和漏区，所述源区形成于所述P阱中并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准，所述漏区形成于所述漂移区中；由P+区组成的衬底引出区，所述衬底引出区形成于所述P阱中并用于将所述P阱引出，所述衬底引出区和所述源区横向接触；场氧，位于所述P阱和所述漏区之间的所述漂移区上方，所述场氧的第二侧和所述漏区横向接触，所述场氧的第一侧延伸到所述第一N型深阱的第一侧和所述第二N型深阱的第二侧之间；所述多晶硅栅的第二侧面延伸到所述场氧上方；第一PTOP层，形成于所述漂移区表面且位于所述场氧的底部；第二PTOP层，形成于所述P阱中；在所述半导体衬底正面形成有层间膜，在所述层间膜的顶部形成有由正面金属层形成的源极、漏极和栅极，所述源极通过穿过所述层间膜的接触孔和所述源区以及所述衬底引出区接触，所述漏极通过穿过所述层间膜的接触孔和所述漏区接触，所述栅极通过穿过所述层间膜的接触孔和所述多晶硅栅接触；所述源极的正面金属层的第二侧还向所述漂移区的方向延伸形成源端金属场板；所述漏极的正面金属层的第一侧还延伸到所述漂移区的顶部并形成漏端金属场板；所述栅极的正面金属层位于所述漂移区的顶部形成栅端金属场板；所述第一PTOP层用于加速所述漂移区的表面的耗尽从而提高器件的击穿电压；所述源端金属场板的第二侧和所述栅端金属场板都向所述源区一侧移动以增加所述栅端金属场板和所述漏端金属场板之间的间距从而提高所述漂移区表面的电场峰值的间距并从而提高器件的击穿电压，所述栅端金属场板的第二侧位于所述多晶硅栅的第二侧的外侧以及所述栅端金属场板的第一侧延伸到所述多晶硅栅的第一侧和第二侧之间。