[发明专利]存储器结构及其编程方法与读取方法有效
| 申请号： | 201910014961.0 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110033805B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 许家荣;孙文堂 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26;G11C16/12;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器结构及其编程方法与读取方法，其中该存储器结构包括：第一选择晶体管、第一浮置栅极晶体管、第二选择晶体管、第二浮置栅极晶体管与第七掺杂区。第一选择晶体管包括选择栅极、第一掺杂区与第二掺杂区。第一浮置栅极晶体管包括浮置栅极、第二掺杂区与第三掺杂区。第二选择晶体管包括选择栅极、第四掺杂区与第五掺杂区。第二浮置栅极晶体管包括浮置栅极、第五掺杂区与第六掺杂区。第二浮置栅极晶体管中的浮置栅极的栅极宽度大于第一浮置栅极晶体管中的浮置栅极的栅极宽度。浮置栅极至少覆盖部分第七掺杂区。上述存储器结构可有效地提升存储器元件的电性效能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 编程 方法 读取 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：第一选择晶体管，包括选择栅极及位于所述选择栅极两侧的第一掺杂区与第二掺杂区；第一浮置栅极晶体管，包括浮置栅极及位于所述浮置栅极两侧的所述第二掺杂区与第三掺杂区；第二选择晶体管，包括所述选择栅极及位于所述选择栅极两侧的第四掺杂区与第五掺杂区；第二浮置栅极晶体管，包括所述浮置栅极及位于所述浮置栅极两侧的所述第五掺杂区与第六掺杂区，其中所述第二浮置栅极晶体管中的所述浮置栅极的栅极宽度大于所述第一浮置栅极晶体管中的所述浮置栅极的栅极宽度；以及第七掺杂区，其中所述浮置栅极至少覆盖部分所述第七掺杂区。
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