[发明专利]一种基于超薄金属的透明导电薄膜有效

专利信息
申请号: 201910015540.X 申请日: 2019-01-08
公开(公告)号: CN109778129B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 宋伟杰;王肇肇;李佳;黄金华;杨晔;许君君 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;H01B5/14
代理公司: 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 代理人: 谢潇
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于超薄金属的透明导电薄膜,包括自下而上依次设置的底部介电层、超薄金属层和顶部介电层,超薄金属层为银层,底部介电层和顶部介电层的化学组成均为MxZn1‑xO,其中,底部介电层的平均表面粗糙度为0.1~0.3nm,M为掺杂元素,M为Mg、In、Gd中任意一种,x为M的掺杂量与M和Zn的总量的质量比,x=0.005~0.5。该透明导电薄膜具有三层结构,在保证波长为400~800nm的平均光学透过率不低于80%、薄膜方阻不高于7Ω/sq的前提下,其高温稳定性、湿热稳定性、化学稳定性、空气中稳定性以及抗刮擦稳定性等多方面稳定性较现有常用同结构透明导电薄膜大幅度提升,可满足诸多柔性光电器件的应用需求。
搜索关键词: 一种 基于 超薄 金属 透明 导电 薄膜
【主权项】:
1.一种基于超薄金属的透明导电薄膜,包括自下而上依次设置的底部介电层、超薄金属层和顶部介电层,其特征在于:所述的超薄金属层为银层,所述的底部介电层和所述的顶部介电层的化学组成均为MxZn1‑xO,其中,所述的底部介电层的平均表面粗糙度为0.1~0.3nm,M为掺杂元素,M为Mg、In、Gd中任意一种,x为M的掺杂量与M和Zn的总量的质量比,x=0.005~0.5。
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