[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910016147.2 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109873061B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;刘旺平;李鹏;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片的多量子阱层包括多个交替生长的量子阱层和量子垒层，每个量子阱层均包括多层In |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层包括多个交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，每个所述量子阱层均包括多层InxGa1‑xN量子阱子层，多层量子阱子层中的In含量沿外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小，每个所述量子垒层均包括多层掺Si的ByGa1‑yN量子垒子层，多层量子垒子层中的B含量沿所述外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小，0≤x≤1，0≤y≤1。
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