[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，包含第一金属氧化物半导体场效晶体管、剩余的栅极堆叠、绝缘结构与第二金属氧化物半导体场效晶体管。第一金属氧化物半导体场效晶体管在基板上方。第一金属氧化物半导体场效晶体管包含第一栅极堆叠、第一缓冲层与第一通道层。剩余的栅极堆叠位于第一通道层上方。剩余的栅极堆叠包含第一绝缘体、第一导电材料与多个第一间隔件。绝缘结构位于第一通道层上。绝缘结构包含第一介电质、第二介电材料与第三介电材料。第二金属氧化物半导体场效晶体管位于绝缘结构与剩余的栅极堆叠上方。第二金属氧化物半导体场效晶体管包含第二通道层与第二栅极堆叠。第二栅极堆叠设置于第二通道层上方。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一第一金属氧化物半导体场效晶体管，在一基板上方，其中该第一金属氧化物半导体场效晶体管包含：/n一第一栅极堆叠；/n一第一缓冲层，设置于该第一栅极堆叠的相对侧上；以及/n一第一通道层，位于该第一栅极堆叠与该第一缓冲层上方；/n一剩余的栅极堆叠，位于该第一通道层上方，其中该剩余的栅极堆叠包含：/n一第一绝缘体，位于该第一通道层上方；/n一第一导电材料，位于该第一绝缘体的上表面与下表面上；以及/n多个第一间隔件，位于与该第一绝缘体相对的多个侧壁上方；/n一绝缘结构，位于该第一通道层上，其中该绝缘结构包含：/n一第一介电质，延伸于该第一绝缘体的多个侧壁之间，其中该第一介电质在该第一导电材料的上表面与该第一导电材料的下表面之间延伸；/n一第二介电材料，位于所述多个第一间隔件的一第一侧壁上，其中/n该第二介电材料设置于该第一通道层上；以及/n一第三介电材料，位于所述多个第一间隔件的一第二侧壁上，且该第二侧壁与该第一间隔件的该第一侧壁相对，其中该第三介电材料位于该第一通道层上；以及/n一第二金属氧化物半导体场效晶体管，位于该绝缘结构与该剩余的栅极堆叠上方，其中该第二金属氧化物半导体场效晶体管包含：/n一第二通道层；以及/n一第二栅极堆叠，设置于该第二通道层上方。/n