[发明专利]纳米级扫描传感器在审

专利信息
申请号: 201910017535.2 申请日: 2013-08-20
公开(公告)号: CN109765257A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: M·S·格瑞诺德斯;洪晟根;P·梅勒丁斯基;A·亚考贝 申请(专利权)人: 哈佛学院院长及董事
主分类号: G01N24/10 分类号: G01N24/10;G01Q60/54;G01Q70/14;G01R33/022;G01R33/032;G01R33/12;G01R33/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开涉及纳米级扫描传感器。感测探头可以由包括一个或多个自旋缺陷的金刚石材料形成,所述自旋缺陷被构造为发射荧光,并且位于离感测探头的感测表面不超过50nm。感测探头可以包括光学解耦结构,所述光学解耦结构由所述金刚石材料形成,并且被构造为光学地将所述荧光引向光学解耦结构的输出端。光学探测器可以探测所述荧光,所述荧光从自旋缺陷发射,并且在被光学地引导通过光学解耦结构的输出端之后通过光学解耦结构的输出端出射。安装系统可以保持感测探头,并且在允许感测探头的感测表面与采样的表面之间的相对运动的同时控制感测表面与样本表面之间的距离。
搜索关键词: 感测探头 光学解 感测表面 输出端 荧光 自旋 金刚石材料 扫描传感器 纳米级 光学探测器 安装系统 发射荧光 样本表面 采样 出射 探测 发射
【主权项】:
1.一种由金刚石材料形成的感测探头,所述感测探头包括:一个或多个自旋缺陷,所述自旋缺陷被构造为发射荧光;和光学解耦结构,所述光学解耦结构由所述金刚石材料形成,所述光学解耦结构被构造为光学地将所述一个或多个自旋缺陷发射的荧光引向所述光学解耦结构的输出端,其中,包括所述光学解耦结构的所述感测探头由具有长度大于1μm的至少一个线性尺寸的金刚石组件形成,其中,所述一个或多个自旋缺陷通过使用50‑150W的RF功率对尖端进行弱氧蚀刻而形成以位于离所述感测探头的感测表面不超过20nm,以及其中,所述一个或多个自旋缺陷的退相干时间大于100μsec。
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