[发明专利]存储器及其形成方法、存储器的存储单元的选择方法有效
| 申请号： | 201910018104.8 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109786387B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘毅华;刘峻;范鲁明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/00 | 分类号： | H10B43/00;H10B43/20;H10B43/27 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器及其形成方法以及存储器的存储单元的选择方法，所述存储器的形成方法包括：提供一存储基底，所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙；对所述衬底背面进行减薄；在所述减薄后的衬底背面形成介质层；形成贯穿所述介质层且连接至沟道柱结构底部的接触部；在所述介质层表面形成源线，位于同一行的接触部连接至同一源线。上述方法有利于提高存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 存储 单元 选择 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一存储基底，所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙；对所述衬底背面进行减薄；在所述减薄后的衬底背面形成介质层；形成贯穿所述介质层且连接至沟道柱结构底部的接触部；在所述介质层表面形成源线，位于同一行的接触部连接至同一源线。
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