[发明专利]垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910018370.0 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109841714B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王永进;王帅;倪曙煜;袁佳磊 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 紫外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构近紫外发光二极管，其特征在于，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。
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