[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201910019216.5 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN109801980B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0296;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种碲化镉薄膜太阳能电池,包括由下至上依次设置的衬底层、光吸收层、背接触层和背电极层,所述的光吸收层为碲化镉薄膜层,所述的背接触层由碲化锑与硒化铜的复合材料构成。本发明所述的碲化镉薄膜太阳能电池设置碲化锑与硒化铜的复合材料的背接触层,可以与碲化镉光吸收层形成良好的欧姆接触,降低了势垒,同时掺杂的硒化铜可以有效的改善碲化镉光吸收层的缺陷,而且硒扩散到碲化镉界面后,可以有效的提高碲化镉的禁带宽度,呈现深“V”型的梯度变化,电池初始性能、长期稳定性优异,转换效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碲化镉薄膜太阳能电池,其特征在于,包括由下至上依次设置的衬底层(1)、光吸收层(2)、背接触层(3)和背电极层(5),所述的光吸收层(2)为碲化镉薄膜层,所述的背接触层(3)由碲化锑与硒化铜的复合材料构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都中建材光电材料有限公司,未经成都中建材光电材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910019216.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的