[发明专利]两种含有异构体重复单元局部不对称的共轭聚合物及其制备方法在审
| 申请号： | 201910019408.6 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109734879A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 邓平;姬敬敬;蔡洋;朱笔李 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/30 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;林文弘 |
| 地址： | 350108 福建省福州市闽*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及两种含有异构体重复单元局部不对称的共轭聚合物及其制备方法。本发明主要内容首先通过含有单边溴的前驱体分别与TT‑SnBu3，T‑SnBu3进行Stille偶联聚合，得到两个不同的分子，然后将两个分子用NBS双边溴化后与Me3Sn‑T‑SnMe3，Me3Sn‑TT‑SnMe3聚合得到含有异构体重复单元的两种局部不对称的共轭聚合物。这两种聚合物有较好的溶解性，挥发后得到均匀的薄膜，在有机场效应晶体管的性能测试中有比较高的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 共轭聚合物 不对称 异构体 制备 聚合 有机场效应晶体管 体重复单元 性能测试 聚合物 迁移率 前驱体 挥发 偶联 异构 溴化 薄膜 | ||
【主权项】：
1.两种含有异构体重复单元的局部不对称共轭聚合物，其特征在于，其结构式为：![]()
和![]()
（一）和（二）式中R为≥C20的饱和支化烷基链，Ar为呋喃，噻吩或吡啶，n>0。
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