[发明专利]电阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201910019427.9 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111430537B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吴伯伦;白昌宗;林铭哲;林孟弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种电阻式随机存取存储器(resistive random access memory，RRAM)，可改进RRAM的数据保持能力且能提高存储密度。RRAM包括下电极、上电极、第一可变电阻层以及第二可变电阻层。下电极设置于衬底上，且为单一电极或彼此电性相连的电极对。上电极设置于下电极上，且重叠于下电极。第一可变电阻层与第二可变电阻层设置于衬底上。至少一部分的第一可变电阻层设置于下电极与上电极之间，且至少一部分的第二可变电阻层设置于下电极与上电极之间并连接于第一可变电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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