[发明专利]一种提升碲化镉电池性能的方法有效
申请号: | 201910019474.3 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN109801994B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0463;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种提升碲化镉电池性能的方法,碲化镉电池包括由下至上依次设置的衬底层、光吸收层和背电极层,所述的光吸收层为碲化镉薄膜,所述的光吸收层镀膜完成后放入到包括氯化镉、氟化钠和稀盐酸的混合溶液中浸泡,然后取出进行活化退火处理。本发明所述的提升碲化镉电池性能的方法能有效提高薄膜结构致密度,促进碲化镉晶粒生长,重结晶、提高光学性能、提高电导性能、钝化晶界,提升碲和镉在光吸收层中的组成比例,有效的改善硫化镉与碲化镉的界面,减少缺陷,从而使碲化镉电池的开路电压和填充因子高,电池初始性能和长期稳定性优异,提高碲化镉电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 碲化镉 电池 性能 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提升碲化镉电池性能的方法,其特征在于,碲化镉电池包括由下至上依次设置的衬底层(1)、光吸收层(2)和背电极层(3),所述的光吸收层(2)为碲化镉薄膜,所述的光吸收层(2)镀膜完成后放入到包括氯化镉、氟化钠和稀盐酸的混合溶液中浸泡,然后取出进行活化退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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