[发明专利]MoS2有效

专利信息
申请号: 201910019949.9 申请日: 2019-01-09
公开(公告)号: CN109904408B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 于杰;韩美胜 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学(深圳)
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/054
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 詹浩萍
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开MoS2纳米片镶嵌在碳基底复合材料的制备方法及应用,属于新材料技术领域。采用溶于二甲基甲酰胺的四硫代钼酸铵溶液为反应前驱体,加入到自制的反应装置中密封后放到可通保护气体的加热炉中加热到适当温度使前驱体分解成气体产生高压,在高压作用下制备MoS2/C纳米复合材料。此MoS2/C纳米复合材料是由MoS2纳米片均匀镶嵌在氮氧共掺杂碳基底上的微结构组成的,然后将MoS2/C纳米复合材料作为锂离子和钠离子电池负极材料。本方法工艺简单﹑原材料丰富﹑成本低廉,采用本方案制备的MoS2/C纳米复合材料作为锂离子和钠离子电池负极材料可以改善电池循环性能和倍率性能,宜于大规模推广,具有良好的应用前景。
搜索关键词: mos base sub
【主权项】:
1.一种MoS2纳米片镶嵌在碳基底复合材料的制备方法,其特征在于,使用四硫代钼酸铵的二甲基甲酰胺溶液作为反应前驱体,将其放在使用钼金属、钨金属、合金工具钢、耐热钢或特种性能钢之一制成的密闭反应装置中,然后将反应装置放到管式炉或箱式炉中,在氩气、氮气或氦气气氛保护下加热到500‑950℃使反应前驱体分解产生10‑150 MPa的高压,在高压的作用下形成特殊结构的MoS2/C纳米复合材料,控制反应温度为500‑950℃﹑四硫代钼酸铵与二甲基甲酰胺的质量比为0.1‑0.7﹑升温速率为0.2‑40℃/min和保温时间为0‑3 h的反应条件下,获得拥有可控结构的MoS2/C纳米复合材料。
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