[发明专利]一种单电导层紫外光电子器件在审
| 申请号： | 201910020024.6 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109830497A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;王跃锦;刘国振 | 申请（专利权）人： | 厦门瑶光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L31/113 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单电导层紫外光电子器件，包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层，所述透明电极层为纳米线或原子级厚的导电透明二维材料。上述的光电子器件可以实现紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电导层 势垒绝缘层 紫外光电子器件 透明电极层 金属电极 电连接 光探测 衬底 宽禁带半导体层 光电子器件 二维材料 发光性能 双面发光 制作工艺 纳米线 原子级 导电 暴露 透明 | ||
【主权项】：
1.一种单电导层紫外光电子器件，其特征在于包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层，所述透明电极层为纳米线或原子级厚的导电透明二维材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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