[发明专利]一种适用于耗尽型开关的负电平选择电路在审
| 申请号： | 201910020526.9 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109818601A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 周高翔 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 赵芳梅 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种适用于耗尽型开关的负电平选择电路，包括第一NMOS开关，第二NMOS开关，第一负压电荷泵和第二负压电荷泵，第一负压电荷泵连接到第一NMOS开关的漏极，第二负压电荷泵连接到第二NMOS开关的栅极，且第一NMOS开关的栅极连接到第二NMOS开关的漏极，第一NMOS开关和第二NMOS开关的源极输出至OUT。本发明解决了负电压传输问题，明显提高了耗尽型(depletion)开关在关断情况下的隔离度。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷泵 负压 耗尽型开关 选择电路 负电平 漏极 传输问题 源极输出 栅极连接 负电压 隔离度 耗尽型 关断 | ||
【主权项】：
1.一种适用于耗尽型开关的负电平选择电路，其特征在于：包括第一NMOS开关，第二NMOS开关，第一负压电荷泵和第二负压电荷泵，所述第一负压电荷泵连接到所述第一NMOS开关的漏极，所述第二负压电荷泵连接到所述第二NMOS开关的栅极，且所述第一NMOS开关的栅极连接到所述第二NMOS开关的漏极，所述第一NMOS开关和第二NMOS开关的源极输出至OUT。
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