[发明专利]像素限定结构、OLED结构以及显示面板有效
申请号: | 201910020671.7 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN109994529B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 秦旭;张露;胡思明;韩珍珍 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例涉及一种像素限定结构、OLED结构以及显示面板,像素限定结构包括:第一像素限定层,第一像素限定层包括第一像素限定部以及第一拉伸部;第二像素限定层,第二像素限定层包括第二像素限定部以及第二拉伸部;第一像素限定部与第二像素限定部共同限定像素开口,第一拉伸部与第二拉伸部分别位于同一像素开口相对的两侧,且第一像素限定部与第二像素限定部在同一像素开口相对的另外两侧具有重叠区。本发明能够减小拉伸前后OLED结构的发光亮度之间的差异性,提升OLED结构的拉伸性能和显示效果。 | ||
搜索关键词: | 像素 限定 结构 oled 以及 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种像素限定结构,其特征在于,包括:第一像素限定层,所述第一像素限定层包括第一像素限定部以及与所述第一像素限定部连接的第一拉伸部;与所述第一像素限定层相对设置的第二像素限定层,所述第二像素限定层包括第二像素限定部以及与所述第二像素限定部连接的第二拉伸部;其中,所述第一像素限定部与所述第二像素限定部共同限定像素开口,所述第一拉伸部与所述第二拉伸部分别位于同一像素开口相对的两侧,且在所述同一像素开口相对的另外两侧所述第一像素限定部与所述第二像素限定部具有重叠区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的