[发明专利]一种超辐射发光二极管外延片、外延片制备方法及芯片有效
| 申请号： | 201910020690.X | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109830575B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 曹明德;刘华容;吕军;王定理;黄晓东 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/67;H01L33/24;H01L33/30 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种超辐射发光二极管外延片、外延片制备方法及芯片，其中，所述超辐射发光二极管外延片的制备方法为：在衬底表面依次外延生长多层异质结构；在生长发光层时，调节生长温场沿所述衬底预设的晶向方向梯度变化，使所述发光层的厚度和组分沿所述衬底预设的晶向方向梯度变化。本发明通过调节量子阱层的生长温场沿衬底预设的晶向方向梯度变化，可实现外延片的发光波长的梯度分布，由此得到的芯片沿出光方向为多中心波长叠加，且具有波长连续性，可得到宽的平坦的光谱；同时工艺简单易行、易重复，只需一次外延生长成型，大大提高了产品的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 发光二极管 外延 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种超辐射发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，在衬底(1)表面依次外延生长多层异质结构；其中，在生长发光层(4)时，调节生长温场沿所述衬底(1)预设的晶向方向梯度变化，使所述发光层(4)的厚度和组分沿所述衬底(1)预设的晶向方向梯度变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司，未经武汉光迅科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910020690.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
