[发明专利]一种太阳能电池的选择性电极结构制备方法在审
申请号: | 201910020820.X | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN109786507A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 张峰;张俊兵;何自娟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0288;H01L21/225 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 徐颖聪 |
地址: | 225131 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种太阳能电池的选择性电极结构制备方法,包括以下步骤:提供硅基体;在硅基体表面预定区域注入离子源;对注入离子源后的硅基体通过扩散进行掺杂,以在离子源注入区域形成第一掺杂区域,在离子源注入区域之外的区域形成第二掺杂区域,第一掺杂区域的掺杂浓度大于第二掺杂区域的掺杂浓度;去除硅基体表面所生成的硅玻璃;第一掺杂区域和第二掺杂区域上设置钝化层;在第一掺杂区域对应的位置设置与其连接的金属接触电极。通过上述方法选择不同硅基体并掺杂相应的掺杂元素能制备太阳能电池选择性发射极或表面场,能获得更高表面浓度、更深结深的第一掺杂区域,获得更低表面浓度、更浅结深的第二掺杂区域,一次扩散不需较多工序与设备。 | ||
搜索关键词: | 掺杂区域 硅基体 太阳能电池 掺杂 制备 选择性电极 注入离子 注入区域 离子源 表面预定区域 金属接触电极 选择性发射极 掺杂元素 方法选择 区域形成 一次扩散 表面场 低表面 钝化层 多工序 高表面 硅玻璃 结深 浅结 去除 扩散 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的选择性电极结构制备方法,所述选择性电极结构为选择性发射极或选择性表面场,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,提供硅基体;步骤S2,在所述硅基体表面预定区域注入离子源;步骤S3,对注入所述离子源后的所述硅基体通过扩散进行掺杂,以在所述离子源注入区域形成第一掺杂区域,在所述离子源注入区域之外的区域形成第二掺杂区域,其中所述第一掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二掺杂区域的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶澳(扬州)太阳能科技有限公司,未经晶澳(扬州)太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910020820.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种复合型背板生产废料的在线处理方法
- 下一篇:一种双面电池的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的