[发明专利]一种太阳能电池的选择性电极结构制备方法在审

专利信息
申请号: 201910020820.X 申请日: 2019-01-09
公开(公告)号: CN109786507A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 张峰;张俊兵;何自娟 申请(专利权)人: 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0288;H01L21/225
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 徐颖聪
地址: 225131 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种太阳能电池的选择性电极结构制备方法,包括以下步骤:提供硅基体;在硅基体表面预定区域注入离子源;对注入离子源后的硅基体通过扩散进行掺杂,以在离子源注入区域形成第一掺杂区域,在离子源注入区域之外的区域形成第二掺杂区域,第一掺杂区域的掺杂浓度大于第二掺杂区域的掺杂浓度;去除硅基体表面所生成的硅玻璃;第一掺杂区域和第二掺杂区域上设置钝化层;在第一掺杂区域对应的位置设置与其连接的金属接触电极。通过上述方法选择不同硅基体并掺杂相应的掺杂元素能制备太阳能电池选择性发射极或表面场,能获得更高表面浓度、更深结深的第一掺杂区域,获得更低表面浓度、更浅结深的第二掺杂区域,一次扩散不需较多工序与设备。
搜索关键词: 掺杂区域 硅基体 太阳能电池 掺杂 制备 选择性电极 注入离子 注入区域 离子源 表面预定区域 金属接触电极 选择性发射极 掺杂元素 方法选择 区域形成 一次扩散 表面场 低表面 钝化层 多工序 高表面 硅玻璃 结深 浅结 去除 扩散
【主权项】:
1.一种太阳能电池的选择性电极结构制备方法,所述选择性电极结构为选择性发射极或选择性表面场,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,提供硅基体;步骤S2,在所述硅基体表面预定区域注入离子源;步骤S3,对注入所述离子源后的所述硅基体通过扩散进行掺杂,以在所述离子源注入区域形成第一掺杂区域,在所述离子源注入区域之外的区域形成第二掺杂区域,其中所述第一掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二掺杂区域的掺杂浓度。
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