[发明专利]在无悬挂键基底上范德华外延形成原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的方法有效
| 申请号： | 201910021228.1 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109629004B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 段曦东;段镶锋;吴瑞霞 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/18;C23C16/30;H01L29/12;H01L29/24 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生;魏娟 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种原子能级薄层金属二维材料在无悬挂键二维基底上外延生长的制备方法，其特征在于：在无悬空键二维材料衬底上，以二维方式延伸原子级薄的2D金属纳米片的范德华外延生长方法。从而首次实现金属纳米片直至单层体系并产生原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的。 | ||
| 搜索关键词： | 悬挂 基底 上范德华 外延 形成 原子 过渡 金属 碲化物 二维 金属材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在无悬挂键基底上范德华外延形成原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的方法，其特征在于：将过渡金属原料和碲原料挥发并在无悬挂键的基底表面沉积；控制沉积过程的载气流量为20～150sccm；沉积温度为500‑650℃；所述的过渡金属原料为VCl3、NbCl5或TaCl5；其中，所述的过渡金属原料为VCl3，其挥发温度为500‑650℃；载气成分为保护性气体；所述的过渡金属原料为NbCl5或TaCl5，其挥发温度为120‑250℃；载气成分为保护性气体和氢气的混合气体。
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