[发明专利]一种防激光切割损伤的LED晶圆及其制作方法、切割方法在审
| 申请号： | 201910021624.4 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109671822A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种防激光切割损伤的LED晶圆，包括衬底，多个设置在衬底上的发光结构，所述发光结构包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、与第一半导体层连接的第一电极、以及与透明导电层连接的第二电极，位于相邻发光结构间的切割道，所述切割道从透明导电层刻蚀至第一半导体层，位于发光结构边角处的刻蚀区域，所述刻蚀区域的刻蚀深度大于切割道的刻蚀深度，且贯穿第一半导体层。相应地，本发明还提供了防激光切割损伤的LED晶圆的制作方法及切割方法。本发明对发光结构的边角进行刻蚀，形成贯穿第一半导体层的刻蚀区域，除去切割道交叉处的不必要的氮化镓层，以避免发光结构被烧伤，提高LED芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 发光结构 切割道 刻蚀 透明导电层 激光切割 刻蚀区域 损伤 衬底 切割 氮化镓层 第二电极 第一电极 依次设置 边角处 交叉处 贯穿 边角 良率 源层 制作 烧伤 | ||
【主权项】：
1.一种防激光切割损伤的LED晶圆，其特征在于，包括：衬底；多个设置在衬底上的发光结构，所述发光结构包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、与第一半导体层连接的第一电极、以及与透明导电层连接的第二电极；位于相邻发光结构间的切割道，所述切割道从透明导电层刻蚀至第一半导体层；位于发光结构边角处的刻蚀区域，所述刻蚀区域的刻蚀深度大于切割道的刻蚀深度，且贯穿第一半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910021624.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
