[发明专利]梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法在审
| 申请号： | 201910022023.5 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109576659A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 汪福宪;郭鹏然;梁维新 | 申请（专利权）人： | 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心) |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人： | 蒋欢妹;莫瑶江 |
| 地址： | 510070 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法，采用磁控共溅射法，靶A和靶B分别采用独立的直流溅射电源，并利用溅射功率渐变控制器控制共溅射过程中靶A和靶B的起始溅射功率和功率渐变速率，调控薄膜中金属离子的比例；通过在共溅射过程中控制靶A和靶B溅射组分的溅射功率，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化，在多元金属氧化缺陷容忍度范围内实现金属A/B比例的可控调节，在抑制杂相析出的前提下，制备梯度自掺杂纯相多元金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 多元金属氧化物 溅射功率 自掺杂 制备 磁控溅射 金属离子 共溅射 渐变 磁控共溅射法 直流溅射电源 控制器控制 析出 多元金属 梯度变化 氧化缺陷 容忍度 溅射 可控 金属 调控 | ||
【主权项】：
1.梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法，其特征在于，以金属A作为靶A，以金属B作为靶B，以氩气和氧气作为共溅射气体，采用溅射功率渐变控制器控制共溅射过程中靶A和靶B的起始溅射功率和功率渐变速率，在渐变溅射条件下进行反应溅射，在基片表面沉积梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化，所述多元金属氧化物为AxByOz，其中，A为金属A，B为金属B，O为氧原子，x、y、z指金属A，金属B，氧原子O的化学剂量。
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