[发明专利]一种简易各向异性薄膜磁阻传感器有效
申请号: | 201910022172.1 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN109752678B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 陈洁;黄旭庭 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种简易各向异性薄膜磁阻传感器。该薄膜磁阻传感器包括由两条完全一样的各向异性第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)连接而成,第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)的相位差为45°。所述第一磁阻薄膜条(A)或第二磁阻薄膜条(B)的形状为连续的S形状。本发明的简易各向异性薄膜磁阻传感器具有结构简单,实施便捷的优点,并且因为两条磁阻薄膜呈45°摆放,更加灵敏,能测出较小的磁场角度变化。 | ||
搜索关键词: | 一种 简易 各向异性 薄膜 磁阻 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种简易各向异性薄膜磁阻传感器,其特征在于,该薄膜磁阻传感器包括从下向上依次叠加设置的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4);其中,各向异性磁阻层(3)由两条完全一样的各向异性第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)连接而成,第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)的相位差为45°。
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