[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910022530.9 申请日: 2019-01-10
公开(公告)号: CN110931555A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 夏斌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 半导体装置具备:半导体部,包括第一导电型的第一半导体层;第一电极,设在半导体部表面上;第二电极,设在半导体部背面上;多个控制电极,设在半导体部中,在从第一电极朝第二电极的方向上延伸;及绝缘膜,使多个控制电极与半导体部电绝缘;半导体部包括:第二导电型的第二半导体层,位于邻接的两个控制电极间,且设在第一电极与第一半导体层之间;第一导电型的第三半导体层,设在第一电极与第二半导体层之间;第二导电型的第四半导体层,设在邻接的另外两个控制电极间,且设在第一电极与第一半导体层间;第二导电型的第五半导体层,设在第一电极与第四半导体层之间;及第六半导体层,设在第四与第五半导体层之间,包含第一导电型杂质。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910022530.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top