[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910022530.9 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN110931555A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体装置具备:半导体部,包括第一导电型的第一半导体层;第一电极,设在半导体部表面上;第二电极,设在半导体部背面上;多个控制电极,设在半导体部中,在从第一电极朝第二电极的方向上延伸;及绝缘膜,使多个控制电极与半导体部电绝缘;半导体部包括:第二导电型的第二半导体层,位于邻接的两个控制电极间,且设在第一电极与第一半导体层之间;第一导电型的第三半导体层,设在第一电极与第二半导体层之间;第二导电型的第四半导体层,设在邻接的另外两个控制电极间,且设在第一电极与第一半导体层间;第二导电型的第五半导体层,设在第一电极与第四半导体层之间;及第六半导体层,设在第四与第五半导体层之间,包含第一导电型杂质。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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