[发明专利]生物场效晶体管装置、微流体系统及其使用方法有效
| 申请号： | 201910023425.7 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110554177B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张华伦;黄睿政;陈东村;黄毓杰;萧怡馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/53 | 分类号： | G01N33/53;B01L3/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种用于生物感测的生物场效晶体管装置、微流体系统以及使用生物场效晶体管装置的方法。微流体系统包括：半导体衬底，具有第一表面以及相对平行第二表面；第一生物场效晶体管(bioFET)传感器；以及第二bioFET传感器。界面层设置于第一开口以及第二开口中的至少每一个中。系统包括具有差分放大器的读出电路，差分放大器设计成测量与第一bioFET传感器以及第二bioFET传感器相关联的信号之间的差值。系统还包括微流体网络，微流体网络设计成将流体传递到设置于第一开口以及第二开口中的每一个中的界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 生物 晶体管 装置 流体 系统 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种生物场效晶体管装置，其特征在于，所述生物场效晶体管装置包括：/n半导体衬底，具有第一表面以及相对平行第二表面；/n第一生物场效晶体管传感器，在所述半导体衬底上，所述第一生物场效晶体管传感器包括：/n第一栅极，形成于所述半导体衬底的所述第一表面上，以及/n第一沟道区，形成于所述第一栅极下方的所述半导体衬底内以及将第一源极漏极区插入于所述半导体衬底中，其中所述第一沟道区包括所述半导体衬底的所述第二表面的一部分；/n第二生物场效晶体管传感器，在所述半导体衬底上，所述第二生物场效晶体管传感器包括：/n第二栅极，形成于所述半导体衬底的所述第一表面上，其中所述第一栅极以及所述第二栅极是相同材料，以及/n第二沟道区，形成于所述第二栅极下方的所述半导体衬底内以及将第二源极漏极区插入于所述半导体衬底中，其中所述第二沟道区包括所述半导体衬底的所述第二表面的一部分；/n隔离层，在所述半导体衬底的所述第二表面上以及具有第一开口以及第二开口，所述第一开口暴露包括所述第一沟道区的所述半导体衬底的所述第二表面的一部分，所述第二开口暴露包括所述第二沟道区的所述半导体衬底的所述第二表面的一部分；/n界面层，设置在分别地在所述第一开口以及所述第二开口中的所述第一沟道区以及所述第二沟道区中的每一个上；以及/n读出电路，包括差分放大器，所述差分放大器配置成测量与所述第一生物场效晶体管传感器以及所述第二生物场效晶体管传感器相关联的信号之间的差值。/n
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