[发明专利]过压保护部件

摘要

一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。

主权项

1.一种集成电路，包括：垂直肖克利二极管，从上到下包括：第一导电类型的第一区域；第二导电类型的衬底，以及所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有形成于其中的所述第二导电类型的第三区域；以及第一垂直晶体管，从上到下包括：所述基板的一部分通过垂直壁与所述垂直肖克利二极管分离；所述第二区域的一部分；以及在所述第二区域的所述部分中形成的、与所述第三区域相同导电类型的第四区域；电连接件，在所述衬底的表面上，所述衬底电连接所述第三区域和所述第四区域，其中所述电连接件与所述第二区域绝缘。