[发明专利]一种高纯二氧化锗的制备方法在审
| 申请号： | 201910023629.0 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109534388A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;黎东升;段杰明;周毅 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高纯二氧化锗的制备方法，包括以下步骤：金属锗粉末与水混合，加热；加入双氧水进行氧化反应，过滤，得到滤液；浓缩滤液、结晶，得到锗酸结晶；锗酸结晶在通入惰性气体条件下进行裂解反应，即得；所述制备方法，成本低廉，流程简单，对环境与操作人员友好，工艺周期短，得到的二氧化锗纯度高，白度高，不含氯离子。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化锗 制备 高纯 双氧水 惰性气体条件 工艺周期 裂解反应 氧化反应 金属锗 氯离子 水混合 与操作 白度 加热 过滤 浓缩 | ||
【主权项】：
1.一种高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)金属锗粉末与水混合，加热；(2)加入双氧水进行氧化反应，过滤，得到滤液；(3)浓缩滤液、结晶，得到锗酸结晶；(4)锗酸结晶在通入惰性气体条件下进行裂解反应，即得。
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