[发明专利]单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及形成方法

摘要

本申请提供单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及单光子雪崩二极管的形成方法，单光子雪崩二极管包括：P型衬底；深n阱，其形成于P型衬底的上方；第一N阱区形成于深n阱的上方；第一P+离子区形成于第一N阱区的上方；P阱区，其环绕第一N阱区和第一P+离子区设置于深n阱内；第二N阱区，其环绕P阱区设置在深n阱内，第二N阱区延伸到P型衬底上；第一N+离子区，其形成与第二N阱区；以及第二P+离子区，其环绕第二N阱区设置于P型衬底上。本申请能够升了反向击穿电压，避免了二极管的提前击穿，从而提升了探测效率，还能够加快完全淬灭器件雪崩效应的速度，抑制单光子雪崩二极管在恢复探测状态的时候再次被触发。

主权项

1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，所述单光子雪崩二极管包括：P型衬底；深n阱，其形成于所述P型衬底的上方；第一N阱区，其形成于所述深n阱的上方；第一P+离子区，其形成于所述第一N阱区的上方；P阱区，其环绕所述第一N阱区以及第一P+离子区设置于所述深n阱内，所述P阱区与所述第一N阱区和第一P+离子区接触；第二N阱区，其环绕所述P阱区设置在所述深n阱内，所述第二N阱区延伸到所述P型衬底上；第一N+离子区，其形成于所述第二N阱区；以及第二P+离子区，其环绕所述第二N阱区设置于所述P型衬底上。