[发明专利]大面积纳米光刻系统及其方法有效
| 申请号： | 201910024456.4 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111427237B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 浦东林;陈林森;朱鹏飞;朱鸣;邵仁锦 | 申请（专利权）人： | 苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 周景 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种大面积纳米光刻系统，包括工件台、位置反馈系统、干涉光学系统和控制系统，工件台上设有待光刻的光刻基片；位置反馈系统用于测量和计算工件台的误差；干涉光学系统用于产生干涉曝光场，对光刻基片进行干涉光刻，干涉光学系统包括衍射光学器件；控制系统分别与该工件台、该位置反馈系统和该干涉光学系统电性连接；该控制系统控制该衍射光学器件的运动，用以补偿该工件台的误差。本发明的大面积纳米光刻系统能达到大面积纳米结构高精度制备。本发明还涉及一种大面积纳米光刻方法。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 纳米 光刻 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
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