[发明专利]一种竹节状SiC纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201910024987.3 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109607541B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李斌斌;毛帮笑;黄海泉;王兴邦;袁小森 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种竹节状SiC纳米线及其制备方法，其特征在于，所述的竹节状SiC纳米线具有周期性的波动直径，由两个交替的结构单元组成，一个是典型的正常尺寸直茎段、直径为80‑100nm，另一个是突出的结点段、直径为130‑160nm；将聚碳硅烷(PCS)、活性炭与二茂铁的混合粉末分别放置于双温区管式炉的前后温区主温区，将基体放置于后温区原料的后面，双温区分别以7‑9℃/min、10℃/min升至900‑1100℃、1250℃，保温2‑3h后随炉冷却至室温，即可得到竹节状SiC纳米线。本发明提供的制备工艺简单可行，所得的竹节状SiC纳米线纯度高、具有可调控的竹节形貌，解决了现有竹节状SiC纳米线制备工艺复杂、生长温度高、纯度低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 竹节 sic 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种竹节状SiC纳米线，其特征在于，所述的竹节状SiC纳米线具有周期性的波动直径，由两个交替的结构单元组成，一个是典型的正常尺寸直茎段、直径为80‑100nm，另一个是突出的结点段、直径为130‑160nm。
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