[发明专利]一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201910026033.6 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110944128B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 金泰逵 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378;H04N5/357 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 模数转换(ADC)电路和包括其的CMOS图像传感器。公开了模数转换(ADC)电路和包括该电路的CMOS图像传感器，其涉及用于去除通过像素数据的转换而产生的噪声的技术。ADC电路包括：第一列线，其被配置为从第一像素接收第一像素信号；第二列线，其被配置为从第二像素接收第二像素信号；以及相关双采样(CDS)电路，其被配置为通过将第一像素信号、第二像素信号、第一斜坡信号和第二斜坡信号彼此进行比较来执行CDS操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 金属 氧化物 半导体 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
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