[发明专利]一种垂直磁性隧道结多层膜结构及其制备方法、存储单元在审
| 申请号： | 201910026067.5 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN109830597A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 苏鉴;蔡建旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直磁性隧道结多层膜结构，包括基片层，所述基片层的化学性能稳定且表面平整；势垒层，所述势垒层包括非磁氧化物；铁磁层，所述铁磁层包括至少一个合金层；附加层，所述附加层包括Mo；其中，所述附加层是设置在所述基片层与所述铁磁层之间的缓冲层，或者是设置在最外层的覆盖层，或者是设置在两个合金层之间的插层。 | ||
| 搜索关键词： | 附加层 基片层 铁磁层 多层膜结构 垂直磁性 合金层 势垒层 隧道结 非磁氧化物 表面平整 存储单元 化学性能 覆盖层 缓冲层 最外层 插层 制备 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁性隧道结多层膜结构，包括基片层，所述基片层的化学性能稳定且表面平整；势垒层，所述势垒层包括非磁氧化物；铁磁层，所述铁磁层包括至少一个合金层；附加层，所述附加层包括Mo；其中，所述附加层是设置在所述基片层与所述铁磁层之间的缓冲层，或者是设置在最外层的覆盖层，或者是设置在两个合金层之间的插层。
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