[发明专利]高压元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910026979.2 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN111435683B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件用于切换式电源供应电路的功率级中，用以作为下桥开关。高压元件包含至少一横向扩散金属氧化物半导体元件以及至少一肖特基势垒二极管。其中横向扩散金属氧化物半导体包括阱区、本体区、栅极、源极以及漏极；肖特基势垒二极管包括肖特基金属层以及肖特基半导体层。其中，肖特基金属层与源极电连接，且肖特基半导体层与阱区邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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