[发明专利]环栅晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201910027051.6 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN111435678B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 刘强;俞文杰;任青华;陈治西;刘晨鹤;赵兰天;陈玲丽;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种环栅晶体管的制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于沟道区表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层显露源区及漏区的制备区域；5)进行离子注入工艺以形成源区及漏区；6)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层及栅电极层，并图形化以形成栅极结构；7)形成源电极及漏电极。本发明的环栅晶体管采用后栅工艺制备，可有效提高栅极材料的选择范围，从而实现不同的器件性能要求。本发明在制备半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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