[发明专利]一种范德瓦尔斯异质结型光电探测器及制备方法有效
| 申请号： | 201910028647.8 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN109817808B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王军;蔡明;史佳欣;张云逵;刘德幸;牛青辰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 成都聚蓉众享知识产权代理有限公司 51291 | 代理人： | 张辉 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明涉及光电探测技术领域，且公开了一种范德瓦尔斯异质结型光电探测器及制备方法，包括衬底和所述衬底的顶部固定安装有与底栅电极顶部连接的介质层。因为N型半导体MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 瓦尔 斯异质结型 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种范德瓦尔斯异质结型光电探测器及制备方法，包括衬底(7)和所述衬底(7)的顶部固定安装有与底栅电极(1)顶部连接的介质层(2)，其特征在于：所述介质层(2)的顶部固定安装有一侧位于P型有机半导体薄膜材料(4)内部的N型半导体MoS2(3)，所述P型有机半导体薄膜材料(4)的上表面固定安装有石墨烯(5)，所述N型半导体MoS2(3)和石墨烯(5)的顶部分别固定安装有金属电极(6)。
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