[发明专利]含有三维纵向存储阵列的模式处理器在审
| 申请号： | 201910029515.7 | 申请日： | 2019-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN110414303A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00;G06K9/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 模式处理器(100)含有多个储算单元(100aa‑100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一三维纵向存储（3D‑MV）阵列(170)和一模式处理电路(180)。3D‑MV阵列(170)存储至少部分模式，模式处理电路(180)对所述模式进行模式处理。模式处理电路(180)位于半导体衬底(0)中，3D‑MV阵列(170)堆叠在模式处理电路(180)之上并通过多个芯片内连接(160)电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 模式处理电路 模式处理器 三维 存储 存储阵列 模式处理 电耦合 内连接 衬底 堆叠 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种模式处理器(100)，其特征在于含有：一半导体衬底(0)；一传输至少部分第一模式的输入(110)；多个与所述输入(110)电耦合的储算单元(100aa‑100mn)，每个储算单元(100ij)含有至少一三维纵向存储(3D‑MV)阵列(170)和一模式处理电路(180)，所述3D‑MV阵列(170)存储至少部分第二模式，所述模式处理电路(180)对所述第一和第二模式进行模式处理；所述模式处理电路(180)位于所述半导体衬底(0)中，所述3D‑MV阵列(170)堆叠在所述模式处理电路(180)之上并通过多个芯片内连接(160)与所述模式处理电路(180)电耦合。
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