[发明专利]一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置在审
| 申请号： | 201910029734.5 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109904087A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李玲;李永平;李嘉琳;吴昊;张红丹;赛朝阳;杨霏 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置，在半导体晶圆上刻录定位框；确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件，不需要晶圆颗粒度检测专用设备，也不需要在专门的实验室，即可实现半导体晶圆表面颗粒度的检测，不受检测条件的影响，应用广泛；本发明采用显微镜确定每个定位框中的颗粒数，由于显微镜成本比晶圆颗粒度检测专用设备低，降低了检测成本，简化了检测过程；相比整个半导体晶圆全部检测，采用定位框可节省时间、提高效率，且刻有定位框的半导体晶圆清洗后可用于下一次检测，避免浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 定位框 检测 半导体晶圆表面 半导体晶圆 颗粒度 方法和装置 晶圆颗粒 专用设备 颗粒数 增加量 显微镜 颗粒度检测 检测条件 全部检测 一次检测 预设条件 中颗粒 可用 刻录 清洗 应用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法，其特征在于，包括：在半导体晶圆上刻录定位框；确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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