[发明专利]一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法

摘要

本发明公开了一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N+型InP层，组分渐变的N+型InxAl1‑xAs缓冲层，InxGa1‑xAs吸收层，P+型InxAl1‑xAs帽层，氮化硅SiNx钝化膜，P电极，加厚电极。钝化膜为感应耦合等离子体化学气相沉积技术生长低应力氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：采用低应力的氮化硅薄膜钝化，控制大面阵探测器芯片的翘曲度10μm，有利于实现低盲元率的焦平面器件；低应力氮化硅钝化膜的可靠性高；低应力氮化硅钝化膜的表面侧面钝化效果好。

主权项

1.一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法，所述的探测器结构为：在半绝缘InP衬底(1)上，依次为N⁺型InP层(2)，组分渐变的N⁺型In_xAl_1‑xAs缓冲层(3)，In_xGa_1‑xAs吸收层(4)，P⁺型In_xAl_1‑xAs帽层(5)，氮化硅SiN_x钝化膜(6)，P电极(7)，加厚电极(8)；制备所述探测器的方法步骤如下：在延伸波长铟镓砷外延材料上1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)刻蚀台面，3)去除氮化硅掩膜4)开N槽，5)生长P电极，6)快速热退火，7)淀积氮化硅钝化膜，8)开P、N电极孔，9)生长加厚电极，10)划片；其特征在于：在步骤7)中所述的淀积氮化硅钝化膜方法为：采用感应耦合等离子体化学气相淀积技术生长580～600nm的氮化硅作为钝化膜，生长条件为：ICP功率为750±5W、衬底温度75±5℃，采用SiH₄、N₂为作为工艺气体，SiH₄:N₂为1.15:1，压强15～17mTorr。