[发明专利]一种SiC MOSFET门极辅助电路有效
| 申请号： | 201910031457.1 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109672336B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李先允;张宇;王书征;袁宇;唐昕杰 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H02M1/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;张倩倩 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种SiC MOSFET门极辅助电路，其包括栅源回路和旁通支路；所述栅源回路包括于SiC MOSFET的门极与源极之间依次串接的栅极电阻、电压源单元以及串联电阻；所述电压源单元包括反向并接的两直流电压源，各直流电压源分别串接一控制开关；所述旁通支路包括相串接的辅助电容和三极管单元，所述三极管单元包括两个反并联的三极管；辅助电容一端即旁通支路的一端，其连接在SiC MOSFET的门极与栅源回路的连接线上；两三极管的集电极连接辅助电容的另一端，各三极管的基极与发射极相连，且两三极管各自相连的基极与发射极分别连接在串联电阻的两端上。利用本发明可抑制串联扰动，保证器件开断速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 辅助 电路 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET门极辅助电路，其特征是，包括栅源回路和旁通支路；所述栅源回路包括于SiC MOSFET的门极与源极之间依次串接的栅极电阻、电压源单元以及串联电阻；所述电压源单元包括反向并接的两直流电压源，各直流电压源分别串接一控制开关；所述旁通支路包括相串接的辅助电容和三极管单元，所述三极管单元包括两个反并联的三极管；辅助电容一端即旁通支路的一端，其连接在SiC MOSFET的门极与栅源回路的连接线上；两三极管的集电极连接辅助电容的另一端，各三极管的基极与发射极相连，且两三极管各自相连的基极与发射极分别连接在串联电阻的两端上。
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