[发明专利]一种半导体器件单元以及图像识别装置在审
申请号: | 201910031809.3 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN109768065A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 杨美音;罗军;许静;杨腾智;李彦如;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;G11C11/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽;王宝筠 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件单元以及图像识别装置,包括光电二极管和磁阻随机存储器,存储器可以为自旋转移力矩磁阻随机存储器或自旋轨道矩磁阻式随机存储器,光电二极管和磁阻随机存储器的底电极相互电连接,光电二极管和磁阻随机存储器的顶电极相互电连接。磁阻随机存储器有无限次重复写入及永久存储的特性,可以用于人工神经网络的权重计算,光电二极管感光后产生光电流信号,光电流的大小与磁阻随机存储器读取电流的量级相似,光电流流入磁阻随机存储器,从而可以用于人工神经网络图像识别。由于光电二极管为自驱动PN结器件,无需额外电源,能耗低且可以应用于断电的特殊环境中,同时,直接对模拟信号进行识别,实现更为智能的图像识别。 | ||
搜索关键词: | 随机存储器 磁阻 光电二极管 半导体器件单元 人工神经网络 图像识别装置 图像识别 电连接 光电流 磁阻式随机存储器 自旋转移力矩 光电流信号 存储器 读取电流 额外电源 模拟信号 权重计算 永久存储 底电极 顶电极 自驱动 感光 自旋 断电 能耗 写入 智能 轨道 重复 应用 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件单元,其特征在于,包括:衬底;分别位于所述衬底上的光电二极管以及自旋转移力矩磁阻随机存储器,所述光电二极管包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂类型半导体层、第二掺杂类型半导体层和顶电极,所述自旋转移力矩磁阻随机存储器包括由下至上依次层叠的底电极、磁性隧道结和顶电极;其中,所述光电二极管的底电极通过第一电连线电连接至所述自旋转移力矩磁阻随机存储器的底电极,所述光电二极管的顶电极通过第二电连线电连接所述自旋转移力矩磁阻随机存储器的顶电极,所述第一电连线和/或所述第二电连线中连接有开关器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的