[发明专利]一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置有效
申请号: | 201910031825.2 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN109638649B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 李强;张磊;雷訇;惠勇凌;姜梦华 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01S5/40 | 分类号: | H01S5/40;G02B27/10 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置,采用填充二极管阵列之间的发光空隙,对单个半导体叠阵进行空间合束,因此将半导体叠阵发光区域总体分为上下两部分。将b个半导体阵列中的x个和y个,由y个阵列激光直接通过条纹镜透射区透射,而由x个阵列对应的激光通过条纹镜和反射镜反射后,再次透过条纹镜最下方透射区透射,与y个阵列产生的激光进行位置交换,并整体向下偏移,而a个阵列产生的激光通过反射镜和条纹镜反射区反射后,穿插在透射光间隔之中。通过移动阵列的个数,可增加条纹镜厚度,而空间合束的激光功率密度可成倍提高,对条纹镜的厚度无限制。本方法克服了半导体叠阵数量及功率的限制,从而实现高功率合束。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 空间 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种高功率半导体叠阵空间合束的装置,其特征在于:包括一个半导体叠阵(1),条纹镜(2),第一平面反射镜(3)和第二平面反射镜(4);半导体叠阵(1)分为上部分和下部分;激光由水平放置的半导体叠阵发出,上部分a个半导体阵列产生的激光,直接照射到与水平成45°放置的第一平面反射镜(3)上,向下反射至与水平成45°放置的条纹镜(2)的第二镜面,照射到设置有45°高反膜区域,进行二次反射输出;下部分b个半导体阵列产生的激光,直接照射到条纹镜(2)的第一镜面上,第一镜面的上部分设置有45°高反膜,下部分设置有45°增透膜,再次将b个阵列产生的激光分为x个和y个,x个阵列产生的激光经过第一镜面设置有高反膜区域的反射,向下反射至第二平面反射镜(4),再次反射至条纹镜(2)第一镜面设置有增透膜区域,透过条纹镜(2),从第二镜面设置有增透膜区域输出;y个阵列产生的激光则照射到条纹镜(2)增透膜区域,直接透射过条纹镜,从第二镜面增透膜区域输出。
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