[发明专利]一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910031825.2 申请日: 2019-01-14
公开(公告)号: CN109638649B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 李强;张磊;雷訇;惠勇凌;姜梦华 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;G02B27/10
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置,采用填充二极管阵列之间的发光空隙,对单个半导体叠阵进行空间合束,因此将半导体叠阵发光区域总体分为上下两部分。将b个半导体阵列中的x个和y个,由y个阵列激光直接通过条纹镜透射区透射,而由x个阵列对应的激光通过条纹镜和反射镜反射后,再次透过条纹镜最下方透射区透射,与y个阵列产生的激光进行位置交换,并整体向下偏移,而a个阵列产生的激光通过反射镜和条纹镜反射区反射后,穿插在透射光间隔之中。通过移动阵列的个数,可增加条纹镜厚度,而空间合束的激光功率密度可成倍提高,对条纹镜的厚度无限制。本方法克服了半导体叠阵数量及功率的限制,从而实现高功率合束。
搜索关键词: 一种 功率 半导体 空间 方法 装置
【主权项】:
1.一种高功率半导体叠阵空间合束的装置,其特征在于:包括一个半导体叠阵(1),条纹镜(2),第一平面反射镜(3)和第二平面反射镜(4);半导体叠阵(1)分为上部分和下部分;激光由水平放置的半导体叠阵发出,上部分a个半导体阵列产生的激光,直接照射到与水平成45°放置的第一平面反射镜(3)上,向下反射至与水平成45°放置的条纹镜(2)的第二镜面,照射到设置有45°高反膜区域,进行二次反射输出;下部分b个半导体阵列产生的激光,直接照射到条纹镜(2)的第一镜面上,第一镜面的上部分设置有45°高反膜,下部分设置有45°增透膜,再次将b个阵列产生的激光分为x个和y个,x个阵列产生的激光经过第一镜面设置有高反膜区域的反射,向下反射至第二平面反射镜(4),再次反射至条纹镜(2)第一镜面设置有增透膜区域,透过条纹镜(2),从第二镜面设置有增透膜区域输出;y个阵列产生的激光则照射到条纹镜(2)增透膜区域,直接透射过条纹镜,从第二镜面增透膜区域输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910031825.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top