[发明专利]一种匀流装置及其匀流实现方法在审
申请号: | 201910032831.X | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN109887861A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 戴洪烨 | 申请(专利权)人: | 上海釜川自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 梁永昌 |
地址: | 200000 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种匀流装置,包括反应槽体,其特征在于,反应槽体下方设有副槽,副槽通过管道和泵浦与反应槽体的进液口连接,反应槽体的两侧分别设有溢流区,溢流区通过管道与副槽相通;反应槽体内的液体通过两侧的溢流区流入下方的副槽内,副槽内的液体通过泵浦将液体抽出并注入通过管道连接的反应槽体的进液口内,如此循环匀流槽内的液体。本发明通过将一个大型反应槽体分割成多个小型反应槽体的方式改善反应槽内药液的均匀性,并使反应物快速离开反应区,通过溢流区流入副槽内,副槽内的液体再通过泵浦和管路进入各个反应槽体,达到及时排走反应槽体中部的反应生成物并形成循环溢流的结构,解决了反应生成物堆积过久不能被及时排走的问题。 | ||
搜索关键词: | 反应槽体 副槽 溢流区 泵浦 反应生成物 液体通过 反应槽 流装置 管道连接 反应区 反应物 进液口 均匀性 匀流槽 进液 溢流 堆积 抽出 体内 相通 分割 | ||
【主权项】:
1.一种匀流装置,包括反应槽体(2),其特征在于,所述反应槽体(2)下方设有副槽(5),所述副槽(5)通过管道和泵浦(4)与反应槽体(2)的进液口连接,所述反应槽体(2)的两侧分别设有溢流区(3),所述溢流区(3)通过管道与副槽(5)相通;所述反应槽体(2)内的液体通过两侧的溢流区(3)流入下方的副槽(5)内,副槽(5)内的液体通过泵浦(4)将液体抽出并注入通过管道连接的反应槽体(2)的进液口内,如此循环匀流槽内的液体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造