[发明专利]一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器

摘要

本发明的目的是提供一种可以实现浮栅存储器具有多值存储能力的方法，以及采用该方法设计的各向异性浮栅存储器，该方法以多层石墨烯为埋栅，以少数层二维层状半导体材料为沟道，以六方氮化硼为介电层和封装层，通过范德华堆垛技术以及微纳加工技术制备了具有沿GaTe不同晶向的电极的浮栅存储器，通过改变门电压的大小，对沟道材料GaTe的电学各向异性进行调控，实现了开关比大，数据保持时间长，且具有多值存储功能的浮栅存储器的目的。该方法工艺简单，能够获得性能优异，具有多值存储功能的浮栅存储器。

主权项

1.一种实现各向异性浮栅存储器具有多值存储能力的方法，其特征在于：利用二维层状半导体材料的电学各向异性及门可调性，实现具有多值存储能力的浮栅存储器。