[发明专利]基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，包括背电极，背电极上设置n型单晶硅，n型单晶硅的表面设置二氧化硅层，二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层设置前电极，n型单晶硅的表面设有若干阵列布置的非均匀盲孔，非均匀盲孔包括连续设置的第一孔段和第二孔段，第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明还公开了制备基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池的方法。本发明通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节光子的吸收率，显著提高长波波长光子的利用效率进而提高光电转换效率。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。

主权项

1.一种基于硅纳米孔阵列的石墨烯太阳能电池，包括背电极，背电极上设置n型单晶硅，所述n型单晶硅的表面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层设置前电极，其特征在于，所述n型单晶硅的表面设有若干阵列布置的垂直于所述n型单晶硅的表面的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述n型单晶硅的表面向下连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。